格罗方德版本56279分。

联华电子55428分。

让人出乎意料的是，星源科技的性能跑分最高，比湾积电高了6%。

在功耗方面，星源科技HFOB结构的工艺先进性更是体现得淋漓尽致。

在持续高强度运行一小时后，星源科技生产的晶片功耗稳定在4.4瓦左右，机身温度为39摄氏度。

湾积电的晶片功耗则在5.2W左右，温度达到了 43摄氏度。

格罗方德和联华电子的晶片功耗更高，分别为5.6W和5.8W，机身温度也相应地达到了45摄氏度和46摄氏度。

看完测试视频的网友一脸茫然！

同一款处理器，差异有点大！

他们本以为星源科技刚成立没多久，工艺应该不成熟才对。

万万没想到，工艺水平最高的竟是星源科技！

这.不科学啊！

梁劲松见时机成熟，跟着发了一条图文格式的动态。

「星源科技在制造天工 A100T处理器时，采用了一种全新的电晶体结构，内部命名为Hybrid FinFET on Bulk架构，简称HFOB结构。

我们在不显着牺牲成本和良率的前提下，通过引入部分FinFET和Soi技术的优点，打造一个性能丶功耗丶密度全面超越传统28nm HKMG Planar技术的混合工艺，即混合体矽鳍式场效应电晶体架构。

对关键逻辑路径，如CPU丶GPU核心，以及高漏电单元使用FinFET结构，这能极好地控制漏电流现象，允许工作电压从0.9V降至0.7V甚至更低，从而实现巨大的功耗优势。

对RF器件丶IO器件丶和非关键逻辑仍使用改良版本的Planar HKMG技术，不仅避免了为所有器件重新设计库和IP的巨大成本，还保留了模拟器件在Planar结构下的优秀性能。」

梁劲松见洋洋洒洒写了一大堆，看得网友眉头直皱。

「每一字都认识，但连在一起，却不知道是什麽意思。」

「元芳呢？你怎麽看？」

「回禀大人，在下只懂拳脚，不懂微电子工程技术。」

「作为一名在半导体行业深耕十年的研发人员，坦白说，我也只能看懂一部分，浅浅解读一下梁总的意思：

这款28nm HFOB架构方案的设计很大胆，它通过将部分更先进节点工艺，可能是20纳米或16纳米的FinFET技术下移到28纳米的平台中，进而创造出一个在性能丶功耗和密度上全面超越经典28nm HKMG的『超级28nm』工艺。

说得简单点，相当于把百年陈酿，兑入了今年的新酒里，看上去没啥变化，性能却提升了一大截。」

一名懂行的网友跳出来解释道。

没办法，梁劲松的表达虽然逻辑清晰丶井井有条，但他塞了一堆专业名词和术语，99%的网友压根看不懂，跟瞅天书似的。

「卧槽！前面没看懂，最后一句懂了！」

「合着星源这是玩了波『降维打击』？用更高级的技术做28纳米晶片，难怪能比湾积电还强！」

「之前还觉得W4编码是『倒霉蛋』，现在看手里的曜橙 X2 Plus，突然觉得血赚啊！」

「+ 1！刚查了我的橙子 C4S也是W4，赶紧跑了把游戏试了试，果然比朋友的W1版更流畅，发热也没那麽明显！」

「哪个王八羔子，故意黑星源科技？」

「大概率是湾积电的人，生怕星源科技抢了他们的代工生意。」

网友的怒气来得快，去得更快。

从「质疑」，变成了「真香」认可！

评论区风向彻底反转，原本喊着「退款」的网友纷纷晒出自己的测试体验。

星源科技用实打实的数据，给同行们做了一次标准的示范——量产不是目的，拿出比国际巨头更优秀的制造工艺，才是国产晶片真正的底气。

相同产品，性能更优！

一瞬间，热度彻底爆了！

「骁龙810烫到降频？天工 A100T处理器，吊打骁龙全系列。」

「进口更好？不，也有可能更烂！」

「陈延森用了100亿丶6个月时间丶千人团队，一举超过湾积电。」

「华国晶片崛起！」

国产28纳米工艺量产的话题热度持续攀升。

各大媒体纷纷聚焦星源科技，深挖背后的技术底蕴与发展历程。

梁劲松趁热打铁，在第二天宣布，将在6月20日召开技术发布会，向外界详细介绍了HFOB架构的技术优势及项目的未来规划。

但很多人心里都清楚，星源科技与湾积电丶山星之间，依旧存在两三代的技术差距。

而湾积电要为苹果代工20纳米制程的A8晶片，也几乎是人尽皆知的事实。

但不管怎麽说，28纳米制程工艺，放在2014年，都算得上是最顶尖的晶片生产工艺之一。

市面上超过90%的处理器丶快闪记忆体晶片和存储晶片，采用的都是28纳米或者更落后的工艺制程。

如今，唯一限制星源科技产能的便是——光刻机！

(本章完)